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基板处理装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010212338.9
  • IPC分类号:H01J37/32;C23C16/44;C23C16/46;C23C16/50
  • 申请日期:
    2020-03-24
  • 申请人:
    TES股份有限公司
著录项信息
专利名称基板处理装置
申请号CN202010212338.9申请日期2020-03-24
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2020-10-20公开/公告号CN111799144A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01J37/32IPC分类号H;0;1;J;3;7;/;3;2;;;C;2;3;C;1;6;/;4;4;;;C;2;3;C;1;6;/;4;6;;;C;2;3;C;1;6;/;5;0查看分类表>
申请人TES股份有限公司申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人TES股份有限公司当前权利人TES股份有限公司
发明人孙洪俊
代理机构北京钲霖知识产权代理有限公司代理人李英艳;玉昌峰
摘要
本发明涉及一种基板处理装置,更加详细而言,涉及一种在对基板进行蒸镀或者蚀刻等工艺时能够进行所述基板的中央部和边缘的温度控制及等离子体密度控制,进一步地在对腔室内部执行清洁工艺时能够进行基板支承部下方区域的颗粒控制的基板处理装置。基板处理装置包括:腔室,提供用于容纳基板的容纳空间;供气部,设置在所述腔室内部,并供应工艺气体或者清洁气体;基板支承部,设置在所述腔室内部,并支承所述基板;以及移动环,布置在所述基板支承部和所述腔室的内壁之间而设置为能够上下升降,并具有用于加热所述基板的加热器、被供应RF电源的电极以及接地部中的至少一个。

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