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陶瓷填充聚四氟乙烯微波复合介质基板的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710436856.7
  • IPC分类号:C08K9/06;C08K3/36;C08K7/14;C08L27/18
  • 申请日期:
    2017-06-12
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称陶瓷填充聚四氟乙烯微波复合介质基板的制备方法
申请号CN201710436856.7申请日期2017-06-12
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-12-15公开/公告号CN107474312A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C08K9/06IPC分类号C;0;8;K;9;/;0;6;;;C;0;8;K;3;/;3;6;;;C;0;8;K;7;/;1;4;;;C;0;8;L;2;7;/;1;8查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
四川省成都市高新区西源大道2006号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学当前权利人电子科技大学
发明人袁颖;林浩东;唐斌;李恩竹;张树人
代理机构成都惠迪专利事务所(普通合伙)代理人刘勋
摘要
陶瓷填充聚四氟乙烯微波复合介质基板的制备方法,包括以下步骤:1)二氧化硅陶瓷粉体烘干后,加入到双氧水和浓盐酸的混合液中,升温至50~70℃,得到悬浮液;2)悬浮液抽滤,然后在真空环境下干燥;3)步骤2)所得二氧化硅陶瓷粉加入去离子和无水乙醇的混合溶液,调节PH值为3~5,按二氧化硅陶瓷粉重量比1.0%~2.5%称量偶联剂,球磨混合均匀得到混合料;4)混合料过滤,干燥,得到改性二氧化硅陶瓷粉;5)将改性二氧化硅粉体、短切玻纤和聚四氟乙烯球磨混合后破乳得到面团;6)对面团成型,热压烧结。本发明所制备的陶瓷填充材料具有低介电常数(ε=2.94),超低介电损耗(tgδ<0.0008,10GHz),吸水率低(<0.02%),热膨胀系数较小(<20ppm/℃)。

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