低温多晶氧化物阵列基板及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010729669.X
IPC分类号：H01L27/12H01L29/786H01L21/77
申请日期：
2020-07-27
申请人：
成都中电熊猫显示科技有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	低温多晶氧化物阵列基板及其制作方法
申请号	CN202010729669.X	申请日期	2020-07-27
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2020-09-29	公开/公告号	CN111725244A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/12 其衬底为非半导体的，例如为绝缘体的〔2〕	IPC分类号	H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77查看分类表>
申请人	成都中电熊猫显示科技有限公司	申请人地址	四川省成都市双流区公兴街道青栏路17*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	成都中电熊猫显示科技有限公司	当前权利人	成都中电熊猫显示科技有限公司
发明人	刘翔
代理机构	北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人	朱颖;臧建明

摘要

本发明提供一种低温多晶氧化物阵列基板及其制作方法。本发明提供的低温多晶氧化物阵列基板，包括衬底基板、第一遮光层、第二遮光层、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一遮光层和第二遮光层间隔设置在衬底基板上，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管沿阵列基板的层叠方向分别设置在第一遮光层和第二遮光层上方；第一薄膜晶体管包括第一半导体图形、第一源极、第一漏极和第一栅极；第二薄膜晶体管包括第二半导体图形、第二源极、第二漏极和第二栅极；其中，第一半导体图形为多晶硅半导体图形，第二半导体图形为金属氧化物半导体图形。本发明提供的阵列基板在满足高分辨率要求的同时，可降低显示面板的功耗。

一种杉木叶苦蒿复合生物质燃料及其制备方法

发明授权

低温多晶氧化物阵列基板及其制作方法

在售专利 早买早用

在售专利早买早用