量子点、含其的组成物及其的制法及半导体薄膜与装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201580079993.9
IPC分类号：C09K11/02;C09K11/70
申请日期：
2015-12-04
申请人：
三星SDI株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	量子点、含其的组成物及其的制法及半导体薄膜与装置
申请号	CN201580079993.9	申请日期	2015-12-04
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-01-26	公开/公告号	CN107636111A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C09K11/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C09 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用 C09K 不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用 C09K11/00 发光材料，例如电致发光材料、化学发光材料〔2〕 C09K11/02 以特殊材料作为黏合剂，用于粒子涂层或作悬浮介质〔2〕	IPC分类号	C;0;9;K;1;1;/;0;2;;;C;0;9;K;1;1;/;7;0查看分类表>
申请人	三星SDI株式会社	申请人地址	韩国京畿道龙仁市器兴区贡税路150-20号（邮递区号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星SDI株式会社	当前权利人	三星SDI株式会社
发明人	尹振燮;权五范;李俊雨;孔义铉;金钟基;朴商天;朴温柔;禹熙济;赵成徐;韩弦周
代理机构	北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人	陶敏;臧建明

摘要

提供一种通过寡聚物或聚合物钝化(passivation)的量子点、含其的组成物及其的制法及半导体薄膜与装置，所述寡聚物或聚合物通过使第一单体与第二单体反应获得，所述第一单体的末端具有至少三个硫醇基(‑SH)，所述第二单体的末端具有至少两个能够与硫醇基反应的官能基(functionalgroup)及在至少两个官能基之间的间隔基(spacergroup)。通过寡聚物或聚合物钝化的量子点可具有改良的抗氧气或湿气的稳定性、及改良的热稳定性及光学稳定性、及于薄膜形成期间所用的溶剂或基质树脂中充分分散。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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