一种晶体管的制备方法及依该方法获得的组合改良结构

发明专利有效专利

申请号：
CN200610026466.4
IPC分类号：H01L21/60;H01L25/07;H01L23/488
申请日期：
2006-05-11
申请人：
林茂昌

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专利名称	一种晶体管的制备方法及依该方法获得的组合改良结构
申请号	CN200610026466.4	申请日期	2006-05-11
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2006-11-15	公开/公告号	CN1862783
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/60 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕 H01L21/60 引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;5;/;0;7;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;8查看分类表>
申请人	林茂昌	申请人地址	上海市闵行区颛兴路1421弄135号(1栋B区) 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海金克半导体设备有限公司	当前权利人	上海金克半导体设备有限公司
发明人	林茂昌
代理机构	上海天翔知识产权代理有限公司	代理人	刘粉宝

摘要

晶体管的制备方法及依该方法获得的组合改良结构。其是于一金属板的至少一侧边缘设有经冲压成型的较宽接合面，且使多个晶片分别以一极焊设于该金属板的接合面上，多个导电接脚以一端部经冲压成型为一弯折扁平的衔接部，且使部分导电接脚可以该衔接部焊接该晶片向外裸露的另一极，并以其它部分的导电接脚以衔接部焊接于该金属板的接合面，使该金属板与各导电接脚间形成一易于组装的组合结构。组装时，将装有晶片的金属板直立排列，然后将所述的一部分导电接脚以其衔接部焊接在晶片向外裸露的那一极上，并将所述的其它部分导电接脚以衔接部焊接于所述金属板的接合面；所有导电接脚均向上延伸。节省了作业空间，亦有利于测试作业的进行。

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