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二维材料拉应变工程的激光制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110427980.3
  • IPC分类号:H01L21/02
  • 申请日期:
    2021-04-21
  • 申请人:
    武汉大学
著录项信息
专利名称二维材料拉应变工程的激光制造方法
申请号CN202110427980.3申请日期2021-04-21
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-03公开/公告号CN113206005A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/02IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人武汉大学申请人地址
湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉大学当前权利人武汉大学
发明人胡耀武;夏敏;黄正
代理机构武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人肖明洲
摘要
本发明公开了一种二维材料拉应变工程的激光制造方法,包括以下步骤:首先在基底上沉积金属薄膜,再在金属薄膜上转移二维材料,使用激光直接扫描可将金属薄膜转变为纳米颗粒,最后使用脉冲激光冲击金属纳米颗粒进行处理,使覆盖在纳米颗粒上的二维材料产生局部的应变。本发明的方法可避免二维材料转移到表面粗糙度较大的衬底过程中导致的材料破裂及二次缺陷的产生;选取合适波长和功率的激光扫描金属薄膜能在不损伤二维材料的前提下对其形貌进行可控调整;通过进一步的激光冲击处理,二维材料能产生局部的应变,进而改变二维材料的能带结构,大幅提高二维材料的载流子迁移率等电学性能,可适用于高性能场效应晶体管等电子器件。

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