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基准电压积分采样电路

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201320760821.6
  • IPC分类号:G05F1/56
  • 申请日期:
    2013-11-28
  • 申请人:
    成都岷创科技有限公司
著录项信息
专利名称基准电压积分采样电路
申请号CN201320760821.6申请日期2013-11-28
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G05F1/56IPC分类号G;0;5;F;1;/;5;6查看分类表>
申请人成都岷创科技有限公司申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张衡路666弄2号5层504-511室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海晶丰明源半导体股份有限公司当前权利人上海晶丰明源半导体股份有限公司
发明人易坤;陈雪松;高继;赵方麟
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本实用新型公开了一种基准电压积分采样电路,它包括单刀双掷开关S1、电阻R3、电阻R2、放大器和场效应管,所述的放大器的输出端连接在场效应管的栅极上,所述的放大器的反相输入端通过电容C1连接在场效应管的源极上;所述的电阻R2上并联有电容C2,且一端通过电阻R3连接在场效应管的源极,另一端接地,所述的单刀双掷开关S1的两个不动端分别与地和场效应管的源极相连,所述的单刀双掷开关S1的动端通过电阻R1连接在放大器的反相输入端上。其优点是:电路结构简单,其利用闭环控制的恒流原理使恒流输出精度高,线调整和负载调整率优异。

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