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一种高压铂扩散快恢复二极管

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201721169462.1
  • IPC分类号:H01L29/861;H01L29/06
  • 申请日期:
    2017-09-13
  • 申请人:
    张家港意发功率半导体有限公司
著录项信息
专利名称一种高压铂扩散快恢复二极管
申请号CN201721169462.1申请日期2017-09-13
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/861
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;8;6;1;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人张家港意发功率半导体有限公司申请人地址
江苏省苏州市张家港市杨舍镇乘航河东路80号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人张家港意发功率半导体有限公司当前权利人张家港意发功率半导体有限公司
发明人蔡寅;张鹏程;周炳
代理机构北京中政联科专利代理事务所(普通合伙)代理人曹军
摘要
本实用新型公开了一种高压铂扩散快恢复二极管,包括衬底层、生长在衬底层上的外延层、外延层为N型半导体,外延层上设有多条限位片,两相邻限位片之间的外延层上注入硼,从下到上形成P+区和P++区,构成P++P+结,外侧限位片的外周和衬底层注磷形成N+区,构成P++P+NN+结构,P++区和外侧限位片外周的N+区上溅射有铂层,外延层中部的P++P+结和外侧限位片外周的N+区上沉积有正极接触金属层,外延层中部的P++P+结和外侧限位片外周的N+区之间的P++P+结上设置有电性隔离层,衬底层远离外延层的一面沉积有负极接触金属层。其通过扩散铂层有效降低了器件少数载流子寿命τ从而缩短反向恢复时间Trr。

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