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用于SiC基MOS器件栅介质薄膜的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410132967.5
  • IPC分类号:H01L21/28;H01L21/285;H01L29/51
  • 申请日期:
    2014-04-03
  • 申请人:
    中国科学院半导体研究所
著录项信息
专利名称用于SiC基MOS器件栅介质薄膜的制备方法
申请号CN201410132967.5申请日期2014-04-03
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2014-06-25公开/公告号CN103887163A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/28IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;5;;;H;0;1;L;2;9;/;5;1查看分类表>
申请人中国科学院半导体研究所申请人地址
福建省厦门市火炬高新区创业园轩业楼3194室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人厦门肖克利能源技术有限公司当前权利人厦门肖克利能源技术有限公司
发明人张峰;赵万顺;王雷;刘兴昉;孙国胜;曾一平
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人任岩
摘要
一种用于SiC基MOS器件栅介质薄膜的制备方法,包括:将一SiC衬底清洗;将一AlN薄膜沉积到清洗后的SiC衬底上;将AlN薄膜氧化为AlxOyNz薄膜,通过氧化工艺控制,选择将AlN薄膜完全氧化成AlxOyNz薄膜,或者部分氧化成AlxOyNz薄膜,形成AlN/AlxOyNz一种栅介质层;将一Al2O3薄膜淀积到AlxOyNz薄膜上,形成AlxOyNz/Al2O3和AlN/AlxOyNz/Al2O3两种叠栅介质层;对得到的三种叠栅介质层进行氩气退火然后冷却;在退火后的三种叠栅介质层上溅射或蒸镀金属电极,形成MOS器件结构,完成制备。本发明制备的栅介质薄膜,具有介电常数高、界面态密度低和载流子迁移率高等缺点。

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