一种便于射频前端集成的温度补偿声表面波器件及其制备方法与应用

发明专利有效专利

申请号：
CN201910348847.1
IPC分类号：H03H9/02;H03H9/25;H03H3/10
申请日期：
2019-04-28
申请人：
清华大学

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专利名称	一种便于射频前端集成的温度补偿声表面波器件及其制备方法与应用
申请号	CN201910348847.1	申请日期	2019-04-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-08-09	公开/公告号	CN110113025A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03H9/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03H 阻抗网络，例如谐振电路；谐振器（测量，试验入G01R；产生混响或回声装置入G10K 15/08；由分布阻抗，例如波导型，组成的阻抗网络或谐振器入H01P；放大的控制，例如放大器的带宽控制入H03G；调谐谐振电路，例如调谐耦合谐振电路入H03J；改善通信系统频率特性的网络入H04B） H03H9/00 包括机电或电声器件的网络；机电谐振器（制造压电或磁致伸缩元件入H01L 41/00；扬声器，话筒，唱机拾音器或类似物入H04R） H03H9/02 零部件〔3〕	IPC分类号	H;0;3;H;9;/;0;2;;;H;0;3;H;9;/;2;5;;;H;0;3;H;3;/;1;0查看分类表>
申请人	清华大学	申请人地址	北京市海淀区信箱82分箱清华大学专利办公室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学	当前权利人	清华大学
发明人	潘峰;沈君尧;傅肃磊;曾飞;苏容宣
代理机构	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人	关畅

摘要

本发明公开了一种便于射频前端集成的温度补偿声表面波器件及其制备方法与应用。该器件由下至上依次包括压电基片、温度补偿薄膜、叉指换能器和压电薄膜。它制备方法，包括如下步骤：1)采用物理气相沉积或化学气相沉积，在压电基片上沉积温度补偿薄膜；2)利用光刻技术和电子束蒸镀方法，在温度补偿薄膜上制备叉指换能器叉指换能器；3)采用磁控溅射方法，在叉指换能器叉指换能器上生长压电薄膜，即得到声表面波器件。本发明器件应用于宽禁带半导体射频前端的集成和/或具有温度补偿功能的声表面波器件的制备中。本发明能够实现对器件温度补偿性能的调控，从而实现器件的温度稳定性；具有更大的带宽；制备工艺简单，易于推广。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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