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一种应用于5G毫米波无线通信的低剖面宽带贴片天线结构

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201911325545.9
  • IPC分类号:H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q5/10;H01Q5/314;H01Q21/00;H01Q21/08
  • 申请日期:
    2019-12-20
  • 申请人:
    华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
著录项信息
专利名称一种应用于5G毫米波无线通信的低剖面宽带贴片天线结构
申请号CN201911325545.9申请日期2019-12-20
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2020-04-07公开/公告号CN110970722A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01Q1/38IPC分类号H;0;1;Q;1;/;3;8;;;H;0;1;Q;1;/;4;8;;;H;0;1;Q;1;/;5;0;;;H;0;1;Q;5;/;1;0;;;H;0;1;Q;5;/;3;1;4;;;H;0;1;Q;2;1;/;0;0;;;H;0;1;Q;2;1;/;0;8查看分类表>
申请人华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请人地址
江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华进半导体封装先导技术研发中心有限公司当前权利人华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
发明人万伟康;王启东;薛梅;曹立强;方志丹;杨芳
代理机构上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人张东梅
摘要
本发明公开了一种应用于5G毫米波无线通信的低剖面宽带贴片天线结构,包括:辐射贴片;第一介质层,所述第一介质层设置在所述辐射贴片的下方;人工磁导体单元,所述人工磁导体单元设置在所述第一介质层的下方,且在水平投影方向上与所述辐射贴片不重叠;第二介质层,所述第二介质层位于所述人工磁导体单元的下方;反射地板,所述反射地板位于所述第二介质层下方;缝隙凹槽,所述缝隙凹槽位于所述辐射贴片正下方的反射地板上;第三介质层,所述第三介质层位于所述反射地板和所述缝隙凹槽的下方;以及微带馈线,所述微带馈线位于所述第三介质层的下方,所述微带馈线为终端开路的导线,其中开路端位于缝隙凹槽中心正下方,另一端连接馈电端口。

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