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一种高度(111)取向的锆钛酸铅薄膜的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710072252.5
  • IPC分类号:C04B35/624;C04B35/472;C04B35/48;H01B3/12
  • 申请日期:
    2007-05-23
  • 申请人:
    哈尔滨工业大学
著录项信息
专利名称一种高度(111)取向的锆钛酸铅薄膜的制备方法
申请号CN200710072252.5申请日期2007-05-23
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-10-10公开/公告号CN101050119
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/624IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;6;2;4;;;C;0;4;B;3;5;/;4;7;2;;;C;0;4;B;3;5;/;4;8;;;H;0;1;B;3;/;1;2查看分类表>
申请人哈尔滨工业大学申请人地址
黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人哈尔滨工业大学当前权利人哈尔滨工业大学
发明人王福平;孙秋;魏兆冬;成海涛;姜兆华
代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所代理人荣玲
摘要
一种高度(111)取向的锆钛酸铅薄膜的制备方法,是为了解决采用溶胶-凝胶法制备锆钛酸铅薄膜过程中存在制备方法复杂,可重复操作性差的问题。本发明中的一种高度(111)取向的锆钛酸铅薄膜的制备方法主要由PZT溶胶的制备、PZT薄膜的沉积、PZT薄膜的预晶化和PZT薄膜的晶化这四个步骤完成。本发明制备工艺简单,制备出的锆钛酸铅薄膜(PZT)为高度(111)取向,薄膜表面平整致密、厚度均匀、晶粒大小均匀,本发明制备出的高度(111)取向的锆钛酸铅铁电薄膜具有高的剩余极化值,剩余极化值为43~60μC/cm2,薄膜具有较小的矫顽场,矫顽场仅为60~75kV/cm;采用本发明制备出的锆钛酸铅反铁电薄膜的饱和极化值高。

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