一种取向生长的介电常数可调钛酸锶铅薄膜的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200710067534.6
IPC分类号：C30B29/32;C30B23/08;C30B25/06
申请日期：
2007-03-07
申请人：
浙江大学

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专利名称	一种取向生长的介电常数可调钛酸锶铅薄膜的制备方法
申请号	CN200710067534.6	申请日期	2007-03-07
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-11-14	公开/公告号	CN101070617
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/32 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/16 氧化物〔3〕 C30B29/22 复合氧化物〔3〕 C30B29/32 钛酸盐；锗酸盐；钼酸盐；钨酸盐〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;2;;;C;3;0;B;2;3;/;0;8;;;C;3;0;B;2;5;/;0;6查看分类表>
申请人	浙江大学	申请人地址	浙江省杭州市西湖区浙大路38号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江大学	当前权利人	浙江大学
发明人	杜丕一;陈敬峰;宋晨路;翁文剑;韩高荣;汪建勋;赵高凌;沈鸽;徐刚;张溪文
代理机构	杭州求是专利事务所有限公司	代理人	林怀禹

摘要

本发明公开了一种取向生长的介电常数可调钛酸锶铅薄膜的制备方法，首先在涂覆在玻璃基板上的ITO底电极上拉制铽掺杂PT取向诱导层；再在铽掺杂PT取向诱导层上沉积PST薄膜；铽掺杂PT取向诱导层具有(100)择优取向，PST薄膜同样具有(100)择优取向。本发明通过在无规取向基板上制备PT取向诱导层，诱导制备出高度择优取向的PST薄膜，避免常规取向薄膜制备对于昂贵的单晶基板的依赖性；同时本发明得到的PST薄膜能保持相对较高的可调性，为制备高性能的取向PST薄膜提供了新方法；PT取向诱导层既能诱导PST薄膜的取向，又能促进PST的晶化；整套工艺简单，制备温度低，周期短，节约了能源和成本，具有良好的市场前景。

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