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薄膜熔丝相变随机存取存储器及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200610073652.3
  • IPC分类号:H01L45/00;H01L27/24
  • 申请日期:
    2006-04-18
  • 申请人:
    旺宏电子股份有限公司
著录项信息
专利名称薄膜熔丝相变随机存取存储器及其制造方法
申请号CN200610073652.3申请日期2006-04-18
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2006-12-20公开/公告号CN1881640
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L45/00IPC分类号H;0;1;L;4;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;7;/;2;4查看分类表>
申请人旺宏电子股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹科学工业园区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人旺宏电子股份有限公司当前权利人旺宏电子股份有限公司
发明人龙翔澜;陈士弘
代理机构永新专利商标代理有限公司代理人夏青
摘要
一种存储器装置,包含一个有一顶端面之第一电极、一个有一顶端面之第二电极,以及一介于第一电极和第二电极之间的绝缘构件,该绝缘构件在第一电极和第二电极之间的顶端表面附近有一厚度。一存储器材料之电桥越过该绝缘构件,在第一电极和第二电极之间穿过绝缘构件形成一路径。提供一这样的存储单元阵列,在此阵列中,多个电极元件和其间的绝缘构件在集成电路上构成一电极层。此存储器材料电桥有次微影尺寸。

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