一种基于晶圆基底易刻蚀的减反膜系

发明专利无效专利

申请号：
CN201811336328.5
IPC分类号：G02B1/115
申请日期：
2018-11-09
申请人：
中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所

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著录项信息

专利名称	一种基于晶圆基底易刻蚀的减反膜系
申请号	CN201811336328.5	申请日期	2018-11-09
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2019-01-22	公开/公告号	CN109254333A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G02B1/115 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G02 光学 G02B 光学元件、系统或仪器（G02F优先；专用于照明装置或系统的光学元件入F21V 1/00至F21V 13/00；测量仪器见G01类的有关小类，例如，光学测距仪入G01C；光学元件、系统或仪器的测试入G01M 11/00；眼镜入G02C；摄影、放映或观看用的装置或设备入G03B；声透镜入G10K 11/30；电子和离子“光学”入H01J；X射线“光学”入H01J，H05G 1/00；结构上与放电管相组合的光学元件入H01J 5/16，H01J 29/89，H01J 37/22；微波“光学”入H01Q；光学元件与电视接收机的组合装置入H04N 5/72；彩色电视系统中的光学系统或装置入H04N 9/00；专门适用于透明或反射区的加热装置入H05B 3/84）〔1，7〕 G02B1/00 按制造材料区分的光学元件（光学玻璃的成分入C03C 3/00）；用于光学元件的光学涂层 G02B1/10 对光学元件表面涂覆或对其进行表面处理后所产生的光学涂层（G02B1/08优先）〔1，2015.01〕 G02B1/11 抗反射涂层〔6，2015.01〕 G02B1/113 仅使用无机材料〔2015.01〕 G02B1/115 多层〔2015.01〕	IPC分类号	G;0;2;B;1;/;1;1;5查看分类表>
申请人	中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所	申请人地址	陕西省西安市雁塔区锦业路129号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所	当前权利人	中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所
发明人	陈帛雄;赵科育;王涛;王珂;蓝士祺
代理机构	中国航空专利中心	代理人	杜永保

摘要

本发明属于光学减反膜系设计，涉及一种基于晶圆基底易刻蚀的减反膜系。该膜系由五层非规整高低折射率膜层在晶圆基底上交替镀制而成，在晶圆基底(1)上面依次镀制高低折射率的膜层：其中第二层(3)、第四层(5)为高折射率膜层，采用TiO2或Ta2O5；第一层(2)、第三层(4)、第五层(6)为低折射率膜层，采用SiO2；各层膜厚度在0.2到2个标准波长之间；在晶圆基底另一面上沉积相同的膜层；本发明在入射角45°时，薄膜在1550nm±5nm波段内透射率大于99.9％，且便于刻蚀成型。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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