一种(Gd1-xLnx)2(MoO4)3薄膜的直接制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710608242.2
IPC分类号：C25D9/06;C03C17/34
申请日期：
2017-07-24
申请人：
桂林理工大学

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法律信息

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专利名称	一种(Gd1-xLnx)2(MoO4)3薄膜的直接制备方法
申请号	CN201710608242.2	申请日期	2017-07-24
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-01-23	公开/公告号	CN107620102A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C25D9/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C25 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕 C25D 覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸（印刷电路的金属沉积法制造入H05K 3/18）；工件的电解法接合；所用的装置（阳极或阴极保护入 C23F13/00；单晶生长入C30B）〔2，6〕 C25D9/00 非金属电镀层（C25D 11/00、C25D 15/00优先；电泳覆层入C25D 13/00）〔2〕 C25D9/04 无机材料的〔2〕 C25D9/06 用阳极工艺方法〔2〕	IPC分类号	C;2;5;D;9;/;0;6;;;C;0;3;C;1;7;/;3;4查看分类表>
申请人	桂林理工大学	申请人地址	广西壮族自治区桂林市七星区建干路12号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	桂林理工大学	当前权利人	桂林理工大学
发明人	武晓鹂;张铁;龙飞;蓝晶月;吴一
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种(Gd1‑xLnx)2(MoO4)3薄膜的直接制备方法。将Gd(NO3)3·6H2O或者Gd(NO3)3·6H2O和Ln(NO3)3·6H2O溶解于去离子水中配制成稀土离子总浓度为0.005~1mol/L的溶液，并在其中加入EDTA或者柠檬酸、NaOH溶液、Na2MoO4·2H2O、KCl和HNO3，混合均匀后获得电沉积溶液，置于水浴中，使其温度达到所需温度；在电沉积溶液中插入三电极体系，通过电沉积反应在在导电玻璃上沉积一层薄膜，将薄膜分别用去离子水、无水乙醇冲洗，然后置于鼓风干燥箱中干燥，再将干燥好的电沉积薄膜置于管式炉进行热处理，制得(Gd1‑xLnx)2(MoO4)3薄膜。本发明操作简单，相比于先做粉后成膜的传统方法，极大地简化了薄膜制备方法，同时避免了粉末形貌对成膜质量的影响；并且本发明提供的方法操作简单，耗时短，薄膜质量好。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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