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用于磁电阻存储器的写入驱动器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200480025448.3
  • IPC分类号:G11C11/00;G11C11/14;G11C11/15
  • 申请日期:
    2004-07-15
  • 申请人:
    飞思卡尔半导体公司
著录项信息
专利名称用于磁电阻存储器的写入驱动器
申请号CN200480025448.3申请日期2004-07-15
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2006-10-11公开/公告号CN1846275
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G11C11/00IPC分类号G;1;1;C;1;1;/;0;0;;;G;1;1;C;1;1;/;1;4;;;G;1;1;C;1;1;/;1;5查看分类表>
申请人飞思卡尔半导体公司申请人地址
美国亚利桑那 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人艾沃思宾技术公司当前权利人艾沃思宾技术公司
发明人卓塞弗·J.·纳哈斯;托马斯·W.·安德烈;奇特拉·K.·萨布拉马尼安;哈尔伯特·林
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人王永刚
摘要
写入驱动器(36)使用由电压返回驱动电路(114)的参考电流(102)。按照提供电压的器件(104)调整驱动电路(114)的尺寸,使得通过驱动器(114)的电流为参考电流(102)的预定倍数。所述电压通过开关(110)耦合到驱动电路(114)。控制所述开关(110),从而仅仅在译码器(22)响应地址而确定写线(52)将使写入电流通过时,驱动电路(114)才接收电压。当写线(52)不打算使电流通过时,驱动器(114)肯定禁用。作为用于克服由于高电流引起的地弹反射的改进,驱动器的输入可以与经历这种反射的接地端电容耦合(120)。其它的改进提供了在振幅和边缘变化率控制方面的利益。

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