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半导体存储装置及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201080037465.4
  • IPC分类号:H01L27/10;H01L45/00;H01L49/00
  • 申请日期:
    2010-08-26
  • 申请人:
    松下电器产业株式会社
著录项信息
专利名称半导体存储装置及其制造方法
申请号CN201080037465.4申请日期2010-08-26
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2012-05-30公开/公告号CN102484113A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/10IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;0;;;H;0;1;L;4;5;/;0;0;;;H;0;1;L;4;9;/;0;0查看分类表>
申请人松下电器产业株式会社申请人地址
日本京都府 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人松下半导体解决方案株式会社当前权利人松下半导体解决方案株式会社
发明人三河巧;冈田崇志
代理机构永新专利商标代理有限公司代理人黄剑锋
摘要
提供一种不受基底的影响而稳定进行电阻变化、适合于大容量化的电阻变化型的半导体存储装置及其制造方法。本发明的半导体存储装置具备:在贯通第一层间绝缘层(102)而形成的第一接触孔(103)的内部形成的第一接触插塞(104);与第一层间绝缘层(102)上的膜厚相比第一接触插塞(104)上的膜厚更厚且上表面平坦的下部电极(105);电阻变化层(106);以及上部电极(107)。下部电极(105)、电阻变化层(106)、上部电极(107)构成电阻变化元件。

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