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一种硅太阳能电池背电场用银电极浆料及制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110331309.5
  • IPC分类号:H01B1/22;H01B13/00;H01L31/0224
  • 申请日期:
    2011-10-27
  • 申请人:
    浙江光达电子科技有限公司
著录项信息
专利名称一种硅太阳能电池背电场用银电极浆料及制备方法
申请号CN201110331309.5申请日期2011-10-27
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2012-02-15公开/公告号CN102354545A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01B1/22IPC分类号H;0;1;B;1;/;2;2;;;H;0;1;B;1;3;/;0;0;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4查看分类表>
申请人浙江光达电子科技有限公司申请人地址
浙江省温州市经济技术开发区滨海园区滨海十二路588号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江光达电子科技有限公司当前权利人浙江光达电子科技有限公司
发明人孟淑媛;黄月剑
代理机构温州瓯越专利代理有限公司代理人王阿宝
摘要
本发明公开了一种硅太阳能电池背电场用银电极浆料及制备方法,硅太阳能电池背电场用银电极浆料其重量百分组成为:球形银粉60~70wt%、片状银粉0~5wt%、高温软化点玻璃粉2~6wt%、低温软化点玻璃粉1~3wt%、有机粘合剂20~30wt%。所述球状银粉粒径0.5~2.5µm,振实密度在4.5g/ml以上,所述片状银粉粒径是5µm以下,振实密度在4.0g/ml以上,所述的高温软化点玻璃粉是PbO3-B2O3-SiO2-ZnO玻璃体系,所述的低温软化点玻璃粉是Bi2O3-B2O3-SiO2玻璃体系,本发明该浆料应用与硅太阳能电池片背电场的银电极,经链带炉的快速高温烧结后,附着能力强,耐焊性好,产品的光电转换效率高。

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