一种用于芯片内部振荡器的全温度电容补偿电路

发明专利有效专利

申请号：
CN202110279753.0
IPC分类号：H03B5/04;H03B5/12
申请日期：
2021-03-16
申请人：
苏州灵天微半导体科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种用于芯片内部振荡器的全温度电容补偿电路
申请号	CN202110279753.0	申请日期	2021-03-16
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-29	公开/公告号	CN113054911A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03B5/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03B 使用工作于非开关状态的有源元件电路，直接或经频率变换产生振荡；由这样的电路产生噪声（特别用于电子乐器的发生器入G10H；微波激射器或激光器入H01S；等离子体振荡的产生入H05H） H03B5/00 利用由输出至输入有正反馈的放大器产生振荡（H03B 9/00，H03B 15/00优先） H03B5/02 零部件 H03B5/04 为补偿物理量，例如电源、负荷、温度的变化，对振荡器进行的改进	IPC分类号	H;0;3;B;5;/;0;4;;;H;0;3;B;5;/;1;2查看分类表>
申请人	苏州灵天微半导体科技有限公司	申请人地址	江苏省苏州市吴中区木渎镇枫华商业广场3幢321号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州灵天微半导体科技有限公司	当前权利人	苏州灵天微半导体科技有限公司
发明人	顾永兴
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种用于芯片内部振荡器的全温度电容补偿电路，包括第一反相器、第二反相器和电容模块，所述电容模块包括PMOS电容、寄生PN节电容、第一NMOS开关和第二NMOS开关，所述第一反相器与第二反相器和电容模块电性连接，所述第二反相器与电容模块电性连接。本发明的有益效果为：通过PMOS电容和寄生PN节电容的配合使用，在全温度范围内有效提升输出频率的稳定性，从而有效改善各种时序逻辑。

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