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一种锰掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻

发明专利无效专利

申请号：
CN200310116749.4
IPC分类号：H01C7/04
申请日期：
2003-11-20
申请人：
中国科学院新疆理化技术研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种锰掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻
申请号	CN200310116749.4	申请日期	2003-11-20
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-05-25	公开/公告号	CN1619717
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01C7/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01C 电阻器 H01C7/00 用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器；由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器（由疏松的粉末材料或颗粒材料组成的入H01C 8/00；有电位跃变势垒或表面势垒的电阻器，如场效应电阻器入H01L 29/00；对电磁辐射或微粒子辐射敏感的半导体器件，如光敏电阻器入H01L 31/00；磁场控制电阻器入H01L 43/08体负阻效应器件入H01L 47/00）〔2〕 H01C7/04 具有负温度系数的	IPC分类号	H;0;1;C;7;/;0;4查看分类表>
申请人	中国科学院新疆理化技术研究所	申请人地址	新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京南路40号附1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院新疆理化技术研究所	当前权利人	中国科学院新疆理化技术研究所
发明人	巴维真;陈朝阳;丛秀云;张建
代理机构	乌鲁木齐中科新兴专利事务所	代理人	张莉

摘要

本发明涉及一种锰掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻通过金属锰真空高温扩散或硝酸锰涂层高温扩散将锰掺入单晶硅中，锰原子形成深施主能级，硅单晶成为高度补偿的半导体材料。温度升高，深能级俘获的载流子跃迁至导带，引起材料电阻率发生变化，从而呈现热敏特性，改变扩散温度和时间，即可实现其材料常数B值和25℃标称电阻的改变。

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