一种容性耦合装置及滤波器

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202020123491.X
IPC分类号：H01P1/212
申请日期：
2020-01-19
申请人：
武汉凡谷陶瓷材料有限公司

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著录项信息

专利名称	一种容性耦合装置及滤波器
申请号	CN202020123491.X	申请日期	2020-01-19
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01P1/212 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01P 波导；谐振器、传输线或其他波导型器件（工作在光频的入G02B） H01P1/00 辅助器件（波导型耦合器件入H01P 5/00） H01P1/20 选频器件，例如滤波器 H01P1/212 抑制或衰减谐波频率的（H01P 1/215优先）〔3〕	IPC分类号	H;0;1;P;1;/;2;1;2查看分类表>
申请人	武汉凡谷陶瓷材料有限公司	申请人地址	湖北省武汉市江夏区藏龙岛工业园九凤街5号凡谷电子工业园变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉凡谷陶瓷材料有限公司	当前权利人	武汉凡谷陶瓷材料有限公司
发明人	刘文;钟伟刚;朱晖;刘雄
代理机构	武汉开元知识产权代理有限公司	代理人	黄行军;王亚萍

摘要

本实用新型公开了一种容性耦合装置。它包括相互连接的两个介质谐振器，所述两个介质谐振器的表面设有导电层，其特征在于：所述两个介质谐振器相连的底面设有环形的电极圈，所述电极圈将两个介质谐振器相连的底面的导电层分割成独立的两部分，两个介质谐振器之间通过所述电极圈实现负耦合。本实用新型在两个介质谐振器的表面设置环形的电极圈，将导电层分割成两部分，通过该电极圈实现两个介质谐振器之间的负耦合，结构简单，加工更方便；同时也可以在电极圈内部设置负耦合孔来配合调节耦合量，设计更合理。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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