一种抗辐射容错SRAM存储阵列及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201510052367.2
IPC分类号：G06F3/06;G06F11/14;G11C11/413
申请日期：
2015-02-01
申请人：
复旦大学

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著录项信息

专利名称	一种抗辐射容错SRAM存储阵列及其制备方法
申请号	CN201510052367.2	申请日期	2015-02-01
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2016-10-05	公开/公告号	CN105988714A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F3/06 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G06 计算；推算；计数 G06F 电数字数据处理（基于特定计算模型的计算机系统入G06N） G06F3/00 用于将所要处理的数据转变成为计算机能够处理的形式的输入装置；用于将数据从处理机传送到输出设备的输出装置，例如，接口装置〔4〕 G06F3/06 来自记录载体的数字输入，或者到记录载体上去的数字输出	IPC分类号	G;0;6;F;3;/;0;6;;;G;0;6;F;1;1;/;1;4;;;G;1;1;C;1;1;/;4;1;3查看分类表>
申请人	复旦大学	申请人地址	上海市杨浦区邯郸路220号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	复旦大学	当前权利人	复旦大学
发明人	佘晓轩
代理机构	上海元一成知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	吴桂琴

摘要

本发明属于集成电路领域，提出一种在写数据、读数据和暂停不用(既不读也不写)时都能抵抗辐射的容错SRAM阵列电路设计方法。本发明在SRAM存储阵列中每一列用于数据读写的SRAM单元末尾增加一个用于数据备份的SRAM单元。每个用于数据读写和备份的SRAM单元都能抵抗辐射。当辐射发生在写入SRAM单元数据时，用于数据备份的SRAM单元能保护与正在写入数据的SRAM单元在同一行的其它没有写入数据的SRAM单元不受辐射影响。SRAM单元的抗辐射设计也能在SRAM存储阵列读数据和暂停不用(既不读也不写)时保护所有SRAM单元不受辐射影响。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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