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N面GaNHEMT器件及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011319555.4
  • IPC分类号:H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06;H01L29/20
  • 申请日期:
    2020-11-23
  • 申请人:
    苏州能屋电子科技有限公司
著录项信息
专利名称N面GaNHEMT器件及其制作方法
申请号CN202011319555.4申请日期2020-11-23
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-02-26公开/公告号CN112420827A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/778
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;5;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;2;0查看分类表>
申请人苏州能屋电子科技有限公司申请人地址
江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A4楼110B 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州能屋电子科技有限公司当前权利人苏州能屋电子科技有限公司
发明人张丽;于国浩;张宝顺
代理机构南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人王锋
摘要
本申请公开了一种N面GaN HEMT器件及制作方法。所述HEMT器件包括外延结构以及与外延结构配合的源、漏、栅极;所述外延结构包括沿设定方向依次生长形成的高阻层、沟道层和势垒层,所述沟道层与势垒层的界面处还形成有二维电子气;所述高阻层至少作为原位钝化层,所述栅极分布在高阻层上。本申请通过采用转移技术取代直接生长,可以容易、可控地获得高质量N面GaN材料,其中利用高阻(Al)GaN作为原位钝化层,一方面有效减小了刻蚀对GaN‑AlGaN异质结造成的损伤,可以维持高二维电子气迁移率及载流子浓度,另一方面还避免了二次生长钝化层引入表面态恶化器件性能的问题,使得所获N面GaN HEMT器件具有显著改善的各项性能。

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