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具有III/VI族发射极的晶体管

发明专利无效专利

申请号：
CN03141085.5
IPC分类号：--
申请日期：
2003-06-13
申请人：
惠普开发有限公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有III/VI族发射极的晶体管
申请号	CN03141085.5	申请日期	2003-06-13
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2004-03-03	公开/公告号	CN1479381
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	惠普开发有限公司	申请人地址	美国德克萨斯州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	惠普开发有限公司	当前权利人	惠普开发有限公司
发明人	H·廖;B·－S·B·叶
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	吴立明;梁永

摘要

晶体管(30)包括基极(32)、集电极(42)和包含III/VI族半导体的发射极(36)。提供了至少有一个金属－氧化物半导体(MOS)晶体管(80B)和上述晶体管(30，80A)的微型电路(图6)。还提供了制造晶体管(30)和BiMOS微型电路(图6)的工艺步骤(图5－7)。

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