电可重写非易失存储元件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610151788.1
IPC分类号：H01L45/00;H01L27/24;H01L21/82;G11C16/02
申请日期：
2006-09-07
申请人：
尔必达存储器株式会社

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著录项信息

专利名称	电可重写非易失存储元件及其制造方法
申请号	CN200610151788.1	申请日期	2006-09-07
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-03-14	公开/公告号	CN1929161
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L45/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L45/00 无电位跃变势垒或表面势垒的，专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件，例如介电三极管；奥氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；应用超导电性或高导性的器件入H01L 39/00；压电器件入H01L 41/00；体负阻效应器件入H01L 47/00）〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;7;/;2;4;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;;;G;1;1;C;1;6;/;0;2查看分类表>
申请人	尔必达存储器株式会社	申请人地址	卢森堡卢森堡市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	PS4拉斯口有限责任公司	当前权利人	PS4拉斯口有限责任公司
发明人	浅野勇;佐藤夏树;中井洁
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	杨林森;谷惠敏

摘要

一种非易失存储元件包括：记录层，其包括相变材料；下电极，其与记录层相接触地提供；上电极，其与记录层的上表面的部分相接触地提供；保护绝缘膜，其与记录层的上表面的其他部分相接触地提供；以及层间绝缘膜，其在保护绝缘膜上提供。从而能够获得高热效率，因为记录层和上电极之间的接触面积的尺寸减少。在层间绝缘膜和记录层的上表面之间提供保护绝缘膜，使得可以减少记录层在记录层的图案形成期间或用于暴露记录层的部分的通孔形成期间所遭受的破坏。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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