基于超薄绝缘层SOI上的MOSFET背栅生物传感器及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201510141242.7
IPC分类号：G01N27/414
申请日期：
2015-03-27
申请人：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所

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专利名称	基于超薄绝缘层SOI上的MOSFET背栅生物传感器及其制备方法
申请号	CN201510141242.7	申请日期	2015-03-27
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2015-06-24	公开/公告号	CN104730137A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/414 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R） G01N27/26 通过测试电化学变量；用电解或电泳法〔5〕 G01N27/403 电池和电极组件〔5〕 G01N27/414 对离子敏感的场效应晶体管或化学场效应晶体管，即ISFETS或CHEMFETS〔5〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;4;1;4查看分类表>
申请人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	申请人地址	上海市长宁区长宁路865号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	当前权利人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
发明人	刘畅;俞文杰;文娇;赵清太;王曦
代理机构	上海光华专利事务所	代理人	余明伟

摘要

本发明提供一种基于超薄绝缘层SOI上的MOSFET背栅生物传感器及其制备方法，所述制备方法包括：1）提供一SOI衬底，所述SOI衬底绝缘层的厚度为20nm~40nm；2）制作器件区域；3）形成源区及漏区及沟道区；4）于所述SOI衬底表面形成介质层；5）形成金属接触开孔，并制作金属接触电极；6）制作电极保护层，并露出栅极传感区域；7）于所述体硅衬底背面制作背栅；8）对栅极传感区域表面进行表面活化修饰。本发明与其他背栅结构相比，SOI衬底中的绝缘层很薄，厚度控制在20nm~40nm，在沟道材料厚度一定的条件下，增加了背栅对沟道的控制能力，增大沟道材料的耗尽从而得到更高的亚阈值斜率，得到更高的灵敏度。因此本发明的生物传感器可以对生物分子进行高灵敏的检测。

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