一种原位大范围调控薄膜表面粗化速率的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910239032.X
IPC分类号：C23C14/35;C23C14/06;C23C14/08
申请日期：
2019-03-27
申请人：
吉林大学

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专利名称	一种原位大范围调控薄膜表面粗化速率的方法
申请号	CN201910239032.X	申请日期	2019-03-27
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2019-07-16	公开/公告号	CN110016650A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/35 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕 C23C14/35 利用磁场的，例如磁控溅射〔5〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;0;6;;;C;2;3;C;1;4;/;0;8查看分类表>
申请人	吉林大学	申请人地址	吉林省长春市前进大街2699号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	吉林大学	当前权利人	吉林大学
发明人	胡超权;蔡继泽;张侃;郑伟涛
代理机构	北京和联顺知识产权代理有限公司	代理人	段红玉

摘要

本发明涉及薄膜表面粗化速率领域，具体涉及一种原位大范围调控薄膜表面粗化速率的方法，包括样品材料，所述样品材料选用氮化铪，在制备过程中，通过采用磁控共溅射的方法，引入非晶层，利用非晶包裹作用阻碍上坡扩散进而获得低的粗化速率；本发明将增原子扩散理论指导实践，简化了复杂的扩散，只考虑影响表面粗化速率的上坡和下坡扩散，提出了原子水平上控制表面生长的新方法。通过引入非晶层，阻碍上坡扩散将上下坡扩散概率比大大降低，进而获得极低的粗化速率，制备出了超光滑的薄膜；通过引入与母体材料不润湿的元素，阻碍下坡扩散将上下坡扩散概率比大大的提高，进而获得了极高的粗化速率，制备出了超粗糙的薄膜。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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