层压结构体

发明专利有效专利

申请号：
CN200980116295.6
IPC分类号：H01L51/50;C08G61/02;H01L51/42
申请日期：
2009-03-05
申请人：
住友化学株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	层压结构体
申请号	CN200980116295.6	申请日期	2009-03-05
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-04-13	公开/公告号	CN102017219A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;C;0;8;G;6;1;/;0;2;;;H;0;1;L;5;1;/;4;2查看分类表>
申请人	住友化学株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	住友化学株式会社	当前权利人	住友化学株式会社
发明人	田中正信;田中健太;山内掌吾;东村秀之
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	熊玉兰;高旭轶

摘要

层压结构体，该层压结构体具有第一电极和第二电极，在该第一电极与该第二电极之间具有发光层或电荷分离层，在该发光层或电荷分离层与该第一电极之间具有包含共轭高分子化合物的层，该共轭高分子化合物具有选自式(1)所示的重复单元中的重复单元，(1)(式中，Ar1表示二价芳基，R1表示含有式(2)所示的基团的取代基，该Ar1可以具有R1以外的取代基，n1表示1以上的整数)-(R2)c1-(Q1)n2-Y1(M1)a1(Z1)b1(2)(式中，R2表示可以具有取代基的二价芳基，Q1表示可以具有取代基的二价有机基团，Y1表示碳阳离子、铵阳离子、膦酰基阳离子或磺酰基阳离子，M1表示F-、Cl-、Br-、I-、OH-、RaSO3-、RaCOO-、ClO-、ClO2-、ClO3-、ClO4-、SCN-、CN-、NO3-、SO42-、HSO4-、PO43-、HPO42-、H2PO4-、BF4-或PF6-，Z1表示金属离子或可以具有取代基的铵离子，c1表示0或1，n2表示0以上的整数，其中，c1为0时n2为0，a1表示1以上的整数，b1表示0以上的整数，选择a1和b1以使式(2)所示的取代基的电荷为0，Ra表示可以具有取代基的碳原子数为1～30的烷基或可以具有取代基的碳原子数为6～50的芳基)。-(R2)c1-(Q1)n2-Y1(M1)m1(Z1)b1 (2)

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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