掺杂的III-N大块晶体和自支撑的、掺杂的III-N衬底

发明专利有效专利

申请号：
CN201010623047.5
IPC分类号：C30B29/40;C30B25/20
申请日期：
2006-08-09
申请人：
夫莱堡复合材料公司

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著录项信息

专利名称	掺杂的III-N大块晶体和自支撑的、掺杂的III-N衬底
申请号	CN201010623047.5	申请日期	2006-08-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-08-03	公开/公告号	CN102140696A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/40 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/40 AⅢBv化合物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;4;0;;;C;3;0;B;2;5;/;2;0查看分类表>
申请人	夫莱堡复合材料公司	申请人地址	德国夫莱堡变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	夫莱堡复合材料公司	当前权利人	夫莱堡复合材料公司
发明人	费迪南德·肖尔茨;彼得·布鲁克纳;弗兰克·哈贝尔;贡纳尔·莱比戈
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	陈海涛;樊卫民

摘要

本发明涉及掺杂的III-N大块晶体和自支撑的、掺杂的III-N衬底，其中III代表周期表第III主族的、选自Al、Ga和In的至少一种元素，N代表氮。在所述掺杂的III-N大块晶体和自支撑的、掺杂的III-N衬底中，掺杂物质分别在生长方向上以及在垂直于生长方向的生长平面内非常均一地分布。相应地，可以在生长方向上以及在垂直于生长方向的生长平面内提供载流子浓度和/或比电阻的非常均一的分布。此外，还可以获得非常好的晶体质量。

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