一种基于SiCMOSFET直流固态断路器抑制关断过电压的装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201710565467.4
IPC分类号：H02H7/20;H02H9/04
申请日期：
2017-07-12
申请人：
重庆大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种基于SiCMOSFET直流固态断路器抑制关断过电压的装置
申请号	CN201710565467.4	申请日期	2017-07-12
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2017-09-15	公开/公告号	CN107171292A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H02H7/20 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H02 发电、变电或配电 H02H 紧急保护电路装置（指示或警报意外工作情况的入G01R，例如G01R 31/00，G08B；沿线测定故障位置入G01R 31/08；紧急保护装置入H01H） H02H7/00 当出现正常工作条件的不希望有的变化时能完成自动切换的，专用于特种电机或电设备的或专用于电缆或线路系统分段保护的紧急保护电路装置（保护装置与特种机械或设备的结构组合以及它们的无自动断开的保护见该机械或设备的有关小类） H02H7/20 用于电子设备的（用于变换器入H02H 7/10；用于电测量仪器的入G01R 1/36；用于直流电压或电流的半导体调节器入G05F 1/569；用于放大器的入H03F 1/52；用于电子开关电路的入H03K 17/08）	IPC分类号	H;0;2;H;7;/;2;0;;;H;0;2;H;9;/;0;4查看分类表>
申请人	重庆大学	申请人地址	重庆市璧山区璧泉街道东林大道92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	重庆平创半导体研究院有限责任公司	当前权利人	重庆平创半导体研究院有限责任公司
发明人	李辉;廖兴林;黄樟坚;谢翔杰;王坤;姚然;胡姚刚;何蓓
代理机构	北京同恒源知识产权代理有限公司	代理人	赵荣之

摘要

本发明涉及一种基于SiCMOSFET直流固态断路器抑制关断过电压的装置，属于直流固态断路器技术领域，该装置包含直流固态断路器，还包括电流检测系统、驱动系统、功率半导体固态开关器件、缓冲电路支路和能量吸收支路，缓冲电路支路由压敏电阻构成，用于抑制直流固态断路器关断初期的过电压；能量吸收支路也由压敏电阻构成，用于吸收直流系统寄生电感的能量。通过缓冲电路部分和能量吸收部分的合理配置，可以显著抑制SiCMOSFET直流固态断路器关断初期的过电压。本发明提供的基于SiCMOSFET直流固态断路器抑制关断过电压的装置，简单有效且能够提高直流固态断路器的可靠性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供