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半导体元件的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN02152798.9
IPC分类号：H01L21/283;H01L21/336;H01L29/78
申请日期：
2002-11-28
申请人：
松下电器产业株式会社

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体元件的制造方法
申请号	CN02152798.9	申请日期	2002-11-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-07-02	公开/公告号	CN1427454
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/283 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/28 用H01L 21/20至H01L 21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的〔2〕 H01L21/283 用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;8;3;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人	松下电器产业株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	松下电器产业株式会社	当前权利人	松下电器产业株式会社
发明人	林重德;山本和彦
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汪惠民

摘要

一种半导体元件的制造方法，通过在非氧化性气氛中，在基板(101)上堆积金属膜(102)，然后在氧化性气氛中使金属膜(102)氧化，而形成构成栅绝缘膜(103A)的金属氧化膜(103)。由此能够防止在基板上形成介电常数低的界面层，而形成仅由高介电常数材料所构成的栅绝缘膜，从而可提高金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的性能。

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