一种批次电泳沉积碳纳米管的电子发射源制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200510075000.9
IPC分类号：C25D13/02
申请日期：
2005-06-07
申请人：
东元电机股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种批次电泳沉积碳纳米管的电子发射源制作方法
申请号	CN200510075000.9	申请日期	2005-06-07
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2006-12-13	公开/公告号	CN1876898
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C25D13/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C25 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕 C25D 覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸（印刷电路的金属沉积法制造入H05K 3/18）；工件的电解法接合；所用的装置（阳极或阴极保护入 C23F13/00；单晶生长入C30B）〔2，6〕 C25D13/00 以工艺为特征的电泳镀覆（C25D 15/00优先；电泳镀覆用的组合物入C09D 5/44）〔2〕 C25D13/02 无机材料〔2〕	IPC分类号	C;2;5;D;1;3;/;0;2查看分类表>
申请人	东元电机股份有限公司	申请人地址	中国台湾变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东元电机股份有限公司	当前权利人	东元电机股份有限公司
发明人	郑奎文;李裕安;萧俊彦;蔡金龙;李协恒
代理机构	北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司	代理人	余朦;方挺

摘要

一种批次电泳沉积碳纳米管的电子发射源制作方法，所述方法包括取阴极结构半成品，将阴极结构及金属面板与电泳电极相连接，将阴极结构一侧与金属面板平行并保持一固定距离的置放于电泳槽的溶液中，以分批次移除阴极结构内的气泡以及使碳纳米管电泳沉积于阴极结构上，在沉积后将阴极结构取出，进行低温简单焙烤，以移除阴极结构上的多余溶液，直到在多次电泳技术沉积下，碳纳米管能均匀沉积于阴极结构上形成电子发射源。然后将阴极结构取出进行低温简单焙烤，以移除阴极结构上的多余溶液，之后进行烧结过程，使辅助盐形成具有导电性的金属氧化盐，以增加碳纳米管与阴极电极层之间的导电性。

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