简单化倒装LED结构的CSP芯片的结构及制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201610905801.1
IPC分类号：H01L33/48;H01L33/52;H01L33/64;H01L33/44
申请日期：
2016-10-18
申请人：
湘能华磊光电股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	简单化倒装LED结构的CSP芯片的结构及制作方法
申请号	CN201610905801.1	申请日期	2016-10-18
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-02-22	公开/公告号	CN106449939A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;5;2;;;H;0;1;L;3;3;/;6;4;;;H;0;1;L;3;3;/;4;4查看分类表>
申请人	湘能华磊光电股份有限公司	申请人地址	湖南省郴州市苏仙区白露塘镇有色金属产业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	湘能华磊光电股份有限公司	当前权利人	湘能华磊光电股份有限公司
发明人	王良臣;苗振林;汪延明;周智斌;季辉
代理机构	北京晟睿智杰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	于淼

摘要

本申请公开简单化倒装LED结构的CSP芯片的结构及制作方法，方法包括：处理衬底、生长N型GaN层、生长发光层、生长P型GaN层、在P型GaN层表面进行ITO镀膜、图形化处理、干法刻蚀GaN外延层到N型GaN层、蒸镀N接触层并形成N型GaN层的欧姆接触层、生长ODR膜叠层、生长氧化硅介质膜层、生长DLC介质膜层、图形化处理使PN接触电极的电接触焊盘区裸露、制作PN金属电极焊盘形成倒装LED芯片组合、在各芯片的N型GaN层区域将芯片划裂分离形成多个单独的芯片、对各芯片用封装胶进行封装处理并固化、形成倒装LED芯片列阵的封装胶载体基片、完成倒装LEDCSP芯片的分离、形成LEDCSP芯片。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供