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一种生长在碳布上的富银硒化银柔性场发射阴极材料的制备方法和应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910232341.4
  • IPC分类号:H01J9/02;B82Y30/00
  • 申请日期:
    2019-03-26
  • 申请人:
    东华大学
著录项信息
专利名称一种生长在碳布上的富银硒化银柔性场发射阴极材料的制备方法和应用
申请号CN201910232341.4申请日期2019-03-26
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-06-28公开/公告号CN109950113A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01J9/02IPC分类号H;0;1;J;9;/;0;2;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0查看分类表>
申请人东华大学申请人地址
上海市松江区人民北路2999号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东华大学当前权利人东华大学
发明人李羚玮;侯鑫;薛绍林
代理机构上海申汇专利代理有限公司代理人翁若莹;王文颖
摘要
本发明公开了一种生长在碳布上的富银硒化银纳米材料的制备方法和其在场发射阴极材料中的应用。所述制备方法为:将含有银源和硒源的混合溶液倒入装有碳纤维布的聚四氟乙烯作内衬的高压反应釜中,然后进行密闭,放入反应炉里进行加热反应,得到富银硒化银纳米材料;所述含有银源和硒源的混合溶液的制备方法为:将硝酸银粉末和相同物质的量的十六烷基三甲基溴化铵溶于去离子水中,再加入硒粉、乙二醇,混合均匀,向其中加入氨水,搅拌均匀,得到含有银源和硒源的混合溶液。本发明合成的生长在碳布上的富银硒化银纳米材料具备优异的场发射性能,能作为场发射阴极材料用于半导体器件。

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