SOI衬底上制作半导体微纳结构器件的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210438925.5
IPC分类号：B81C1/00
申请日期：
2012-11-06
申请人：
清华大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	SOI衬底上制作半导体微纳结构器件的方法
申请号	CN201210438925.5	申请日期	2012-11-06
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-05-21	公开/公告号	CN103803482A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C1/00 在基片内或其上制造或处理的装置或系统（B81C 3/00优先）〔7〕	IPC分类号	B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	清华大学	申请人地址	北京市海淀区清华园北京市-82信箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学	当前权利人	清华大学
发明人	郝智彪;钮浪;胡健楠;汪莱;罗毅
代理机构	北京路浩知识产权代理有限公司	代理人	王莹

摘要

本发明公开了一种SOI衬底上制作半导体微纳结构器件的方法，该方法包括步骤：S1在SOI衬底的表面硅层上制作微纳结构器件图形；S2利用选择性腐蚀液去除表面硅层图形下方的二氧化硅，形成空气桥图形结构；S3在所述形成空气桥图形结构的SOI衬底上，利用外延生长法形成器件材料。本发明的方法通过形成空气桥结构缓解了表面硅层与化合物半导体材料之间的晶格失配和热失配，从而生长出高质量的化合物半导体材料；通过预先在SOI衬底上制作出器件图形，然后在图形衬底上直接外延生长出半导体器件，无需制作工艺。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供