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一种微纳结构硅材料的制备系统与制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010146042.8
  • IPC分类号:H01L21/268;H01L21/3065;B28D5/00;B23K26/12
  • 申请日期:
    2010-04-13
  • 申请人:
    上海理工大学
著录项信息
专利名称一种微纳结构硅材料的制备系统与制备方法
申请号CN201010146042.8申请日期2010-04-13
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2010-09-01公开/公告号CN101819927A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/268IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;5;;;B;2;8;D;5;/;0;0;;;B;2;3;K;2;6;/;1;2查看分类表>
申请人上海理工大学申请人地址
上海市军工路516号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海理工大学当前权利人上海理工大学
发明人朱亦鸣;彭滟;温雅;阮邵崧;许丽兰;张大伟;陈麟;曹剑炜;倪争技;庄松林
代理机构上海东创专利代理事务所(普通合伙)代理人宁芝华
摘要
一种微纳结构硅材料的制备系统,特点是:反射镜、连续可调衰减片、光快门、透镜和三维调整台固定在光学平台上,不锈钢长腔真空室安装在三维调整台上,不锈钢长腔真空室前端有窗片,其内部的后表面粘贴有硅片,外部与真空室充气管道连接,所述管道上设置有两个微调阀,光快门通过导线与脉冲计数器连接。通过连续可调衰减片调节入射激光功率,配合使用脉冲计数器准确控制蚀刻的脉冲数量,并利用微调阀门调节真空室内气体压强,最终实现各种不同形貌的微纳结构硅材料的形成。本发明生产工艺简单,操作便捷,所得微纳结构的硅材料具有跨度超过2500nm的吸收光谱,且反射率低于10%。

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