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芯片堆栈封装结构、内埋式芯片封装结构及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200610169301.2
IPC分类号：H01L23/488;H01L23/498;H01L23/538;H01L25/00;H01L25/065;H01L21/60;H01L21/48
申请日期：
2006-12-13
申请人：
财团法人工业技术研究院

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	芯片堆栈封装结构、内埋式芯片封装结构及其制造方法
申请号	CN200610169301.2	申请日期	2006-12-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2008-06-18	公开/公告号	CN101202259
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/488 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/488 由焊接或黏结结构组成〔5，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;3;8;;;H;0;1;L;2;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;5;/;0;6;5;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;1;/;4;8查看分类表>
申请人	财团法人工业技术研究院	申请人地址	中国台湾新竹县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	财团法人工业技术研究院	当前权利人	财团法人工业技术研究院
发明人	沈里正
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陶凤波

摘要

一种内埋式芯片封装结构，此结构包括基板、半导体结构、封合材料层以及多个导通孔。其中，基板包括至少一个介电层与设置于介电层上的至少一个图案化线路层。半导体结构设置于基板上，此半导体结构上具有多个电气接垫，且这些电气接垫与介电层接触。封合材料层设置于半导体结构周围的基板上。另外，多个导通孔设置于基板中，以使图案化线路层电性连接这些电气接垫。

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