半导体的三明治抗反射结构金属层及其制程

发明专利有效专利

申请号：
CN03137382.8
IPC分类号：H01L23/52;H01L21/768;H01L21/28;H01L21/3205
申请日期：
2003-06-19
申请人：
旺宏电子股份有限公司

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专利名称	半导体的三明治抗反射结构金属层及其制程
申请号	CN03137382.8	申请日期	2003-06-19
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2005-01-19	公开/公告号	CN1567588
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/52 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;0;5查看分类表>
申请人	旺宏电子股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹科学工业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	旺宏电子股份有限公司	当前权利人	旺宏电子股份有限公司
发明人	张庆裕;颜裕林;苏金达
代理机构	北京三友知识产权代理有限公司	代理人	刘领弟

摘要

一种半导体的三明治抗反射结构金属层及其制程。为提供一种改善半导体元件制造过程中金属层对接触窗偏移、提高半导体元件品质性能的半导体部件及其制造方法，提出本发明，半导体的三明治抗反射结构金属层包括第一Ti膜层、位于第一Ti膜层上的第一TiN膜层、位于第一TiN膜层上的第二Ti膜层及位于第二Ti膜层上的第二TiN膜层；半导体制程包括形成介电层；于介电层上形成包括第一Ti膜层、位于第一Ti膜层上的第一TiN膜层、位于第一TiN膜层上的第二Ti膜层及位于第二Ti膜层上的第二TiN膜层的三明治抗反射结构金属层；于形成三明治抗反射结构金属层的介电层上形成数个隔离区；清理蚀刻后基板；形成场氧化层。

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