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电阻存储器

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200910083181.8
  • IPC分类号:H01L45/00;G11C11/56
  • 申请日期:
    2009-05-05
  • 申请人:
    中国科学院物理研究所
著录项信息
专利名称电阻存储器
申请号CN200910083181.8申请日期2009-05-05
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2009-09-30公开/公告号CN101546811
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L45/00IPC分类号H;0;1;L;4;5;/;0;0;;;G;1;1;C;1;1;/;5;6查看分类表>
申请人中国科学院物理研究所申请人地址
北京市海淀区中关村南三街8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院物理研究所当前权利人中国科学院物理研究所
发明人张培健;赵宏武;孟洋;刘紫玉;廖昭亮;苏涛;潘新宇;梁学锦;陈东敏
代理机构北京中创阳光知识产权代理有限责任公司代理人尹振启
摘要
本发明提供一种含有导电氧化层,并可提供给可变电阻存储介质氧元素的非易失性电阻存储器件。该非易失性电阻存储器件,包括:底电极;可变电阻存储介质层,该介质层为氧化物;充当氧库的导电氧化物;以及顶电极。通过插入的导电氧化层为介质层提供电阻翻转时的氧空位来改善存储介质的翻转特性和稳定性及持久性。

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