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一种LED芯片及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110912304.5
  • IPC分类号:H01L33/38;H01L33/00
  • 申请日期:
    2021-08-10
  • 申请人:
    厦门乾照光电股份有限公司
著录项信息
专利名称一种LED芯片及其制备方法
申请号CN202110912304.5申请日期2021-08-10
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-11-19公开/公告号CN113675311A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/38IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;3;8;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人厦门乾照光电股份有限公司申请人地址
福建省厦门市厦门火炬高新区(翔安)产业区翔天路259-269号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人厦门乾照光电股份有限公司当前权利人厦门乾照光电股份有限公司
发明人邬新根;刘英策;卢利香;周弘毅;刘伟
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明提供了一种LED芯片及其制备方法,其外延叠层的边缘蚀刻至部分所述的第一型半导体层形成台阶,且所述外延叠层的外围具有衬底裸露面;通过将DBR反射层覆盖所述外延叠层且裸露所述台阶的部分表面,所述DBR反射层具有裸露部分所述第二型半导体层的第一通孔。使所述第一电极和第二电极沿所述外延叠层的侧壁凹陷设计,在保证两者之间间距最大化的同时,增大所述第一电极、第二电极与所述外延叠层的附着力,避免电极脱落,从而有效解决LED芯片在固晶工艺过程中的锡膏短路问题,并提高LED芯片的可靠性。

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