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一种硫化钴的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201310064994.9
  • IPC分类号:C01G51/00
  • 申请日期:
    2013-03-01
  • 申请人:
    浙江理工大学
著录项信息
专利名称一种硫化钴的制备方法
申请号CN201310064994.9申请日期2013-03-01
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2013-07-24公开/公告号CN103214041A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01G51/00IPC分类号C;0;1;G;5;1;/;0;0查看分类表>
申请人浙江理工大学申请人地址
浙江省杭州市江干区经济技术开发区白杨街道2号大街5号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江理工大学当前权利人浙江理工大学
发明人陈旭;董文钧;李梦夏
代理机构杭州求是专利事务所有限公司代理人周烽
摘要
本发明公开了一种硫化钴的制备方法,该方法将1.72mmol硝酸钴和1.31mmol硫脲溶于溶剂中,密封于25mL的内衬为聚四氟乙烯的不锈钢高压反应釜中,在160℃下反应24h,然后将其冷却到室温,取出沉淀物,用去离子水和无水乙醇分别清洗2遍,最后将产物在60℃下干燥24h,得到具有镂空状结构的硫化钴;本发明制备的硫化钴具有毛线团状、白菜状、雪花状镂空结构,因而具有优良的电容特性和良好的充放电性能,在电流密度为5mAcm-2下具有最高的电容值为389FG-1,在电流密度为50mAcm-2时电容值为277FG-1,能够广泛应用于超电容材料与电极材料。

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