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一种基于横向PNP结构的双向ESD保护器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410439235.0
  • IPC分类号:H01L27/02
  • 申请日期:
    2014-08-30
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称一种基于横向PNP结构的双向ESD保护器件
申请号CN201410439235.0申请日期2014-08-30
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-12-24公开/公告号CN104241274A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/02IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;0;2查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
四川省成都市成华区建设北路二段4号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学当前权利人电子科技大学
发明人纪长志;刘志伟;繆家斌;刘聂;张国彦;刘毅;杨雪娇;田瑞;刘凡
代理机构上海精晟知识产权代理有限公司代理人冯子玲
摘要
本发明公开了一种基于横向PNP结构的双向ESD保护器件,可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底,第一N型阱,第二N型阱,第一P+注入区,第二P+注入区,第一N+注入区,第二N+注入区,第三P+注入区,第四P+注入区和若干场氧隔离区构成;该类型保护器件在正向或负向ESD脉冲作用下,内部横向PNP结构的反向PN结被触发导通,同时另一个N阱中的正向PN结导通,会产生由一个横向PNP晶体管以及一个正向二极管串联构成的ESD电流泄放路径。通过分别拉伸两个PNP的基区宽度,可以单独改变正向或负向ESD脉冲来临时器件的维持电压,提高器件工作的灵活性。

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