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一种半导体大功率器件封装设备的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110218359.6
IPC分类号：H01L21/66;H01L21/56
申请日期：
2021-02-26
申请人：
艾极倍特（上海）半导体设备有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种半导体大功率器件封装设备的制造方法
申请号	CN202110218359.6	申请日期	2021-02-26
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-07	公开/公告号	CN112768368A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/66 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/66 在制造或处理过程中的测试或测量〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6查看分类表>
申请人	艾极倍特（上海）半导体设备有限公司	申请人地址	上海市奉贤区南桥镇八字桥路1919号2幢8层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	艾极倍特（上海）半导体设备有限公司	当前权利人	艾极倍特（上海）半导体设备有限公司
发明人	黄澄珵;黄新生
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明一种半导体大功率器件封装设备的制造方法，通过用照相机从覆盖孔的开口的覆盖带上拍摄图像，来对容纳在载带的压纹孔(第一孔)中的半导体器件的外观进行检查，在这种情况下，由于可以防止从孔的开口入射到半导体装置中的光的反射光直接入射到照相机上，因此将外观上有不良部位的半导体装置判定为不良品，可以预防。

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