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一种半导体衬底、电子元器件以及半导体衬底的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110113127.4
IPC分类号：H01L21/02
申请日期：
2021-01-27
申请人：
济南晶正电子科技有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种半导体衬底、电子元器件以及半导体衬底的制备方法
申请号	CN202110113127.4	申请日期	2021-01-27
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-11	公开/公告号	CN112951709A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	济南晶正电子科技有限公司	申请人地址	山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台1号楼B1806 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	济南晶正电子科技有限公司	当前权利人	济南晶正电子科技有限公司
发明人	杨超;李真宇;孔霞;李洋洋
代理机构	北京弘权知识产权代理有限公司	代理人	逯长明;许伟群

摘要

本申请提供了一种半导体衬底、电子元器件以及半导体衬底的制备方法，半导体衬底从上至下依次包括：薄膜层、绝缘层、缺陷层以及衬底层；缺陷层包括至少一层多晶硅层以及至少一层非晶硅层；多晶硅层以及非晶硅层交替层叠设置。本申请实施例提供的半导体衬底，在多晶硅层中插入非晶硅层，由于非晶硅层中不含有晶粒，因此，有效解决了多晶硅材料引发的应力过大、抛光纹等现象。

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