掺锰硅基磁性半导体薄膜材料及制法

发明专利无效专利

申请号：
CN200310112601.3
IPC分类号：--
申请日期：
2003-12-11
申请人：
南京大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	掺锰硅基磁性半导体薄膜材料及制法
申请号	CN200310112601.3	申请日期	2003-12-11
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2004-11-17	公开/公告号	CN1547222
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	南京大学	申请人地址	江苏省南京市汉口路22号物理系变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京大学	当前权利人	南京大学
发明人	张凤鸣;都有为
代理机构	南京苏高专利事务所	代理人	成立珍

摘要

掺锰硅基磁性半导体薄膜材料，锰与硅的摩尔比为1-10%的薄膜材料。其厚度为1-10，000nm。掺锰硅基磁性半导体薄膜材料的制法包括以下步骤：在硅薄膜材料真空锰溅射的方法，制成锰与硅的摩尔比为1-10%的厚度为1-10微米的硅薄膜，然后以温度为900-1400℃的范围内且在保护性气氛条件下将硅材料的结晶化，时间为20min-2小时，得到具有半导体性能要求的硅材料。掺锰硅材料表现出了铁磁性且具有高于400K的铁磁转变温度；同时，其电传输特性也呈半导体特性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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