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半导体器件

发明专利无效专利

申请号：
CN200510052775.4
IPC分类号：G05F3/16
申请日期：
2005-03-14
申请人：
恩益禧电子股份有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件
申请号	CN200510052775.4	申请日期	2005-03-14
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-09-14	公开/公告号	CN1667540
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G05F3/16 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G05 控制；调节 G05F 调节电变量或磁变量的系统（调节雷达或无线电导航系统中脉冲计时或脉冲重复频率的入G01S；专用于电子计时器中电流或电压的调节入G04G 19/02；用电装置调节非电变量的闭环系统入G05D；数字计算机的调节电源入G06F1/26；用于得到有衔铁时的所需电磁铁工作特性入H01F 7/18；调节电功率的配电网络入H02J；调节电池充电的入H02J 7/00；静态变换器输出的调节，例如开关式调节器入H02M；电发生器输出的调节入H02N，H02P 9/00；变压器、电抗器、或扼流圈的控制入H02P 13/00；调节放大器的频率响应、增益、最大输出、振幅或带宽的入H03G；调节谐振电路调谐的入H03J；控制电子振荡器或脉冲发生器的入H03L；调节传输线路特性的入H04B；控制电光源的入H05B 37/02，H05B 39/04，H05B 41/36；X射线设备的电气控制入H05G 1/30）〔4，5〕 G05F3/00 应用具有自调节性能的非控制元件或非控制元件的组合来调节电变量的非回授系统 G05F3/02 调节电压或电流的 G05F3/08 其中变量是直流的 G05F3/10 利用具有非线性特性的非控制器件〔4〕 G05F3/16 非控制器件是半导体器件〔3〕	IPC分类号	G;0;5;F;3;/;1;6查看分类表>
申请人	恩益禧电子股份有限公司	申请人地址	日本神奈川变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瑞萨电子株式会社	当前权利人	瑞萨电子株式会社
发明人	新井高雄
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	穆德骏;陆弋

摘要

一种半导体器件，包括输出晶体管、并联连接到输出晶体管的检测晶体管、与检测晶体管串联连接的检测电阻、以及过电流保护晶体管，该输出晶体管用于控制流过第一端和第二端之间的电流，该检测电阻用于检测流过检测晶体管的电流作为检测电压并且其阻值被设置为与第一端和第二端之间的电位差成正比，该过电流保护晶体管用于根据检测电压的增加来降低输出晶体管和检测晶体管的导通电流。

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