离子敏感场效应晶体管及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710530807.X
IPC分类号：G01N21/80
申请日期：
2017-06-30
申请人：
中国科学院微电子研究所

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专利名称	离子敏感场效应晶体管及其制备方法
申请号	CN201710530807.X	申请日期	2017-06-30
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2019-01-15	公开/公告号	CN109211897A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N21/80 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N21/00 利用光学手段，即利用红外光、可见光；或紫外光来测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 19/00优先） G01N21/75 材料在其中经受化学反应的系统，测试反应的进行或结果（材料在火焰或等离子体中燃烧的装置入G01N 21/72，G01N 21/73）〔3〕 G01N21/77 观察对化学指示剂的作用〔3〕 G01N21/78 产生颜色变化〔3〕 G01N21/80 指示pH值〔3〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;1;/;8;0查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子研究所	当前权利人	中国科学院微电子研究所
发明人	呼红阳;毕津顺;习凯
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	任岩

摘要

本发明提供了一种离子敏感场效应晶体管，包括：衬底；紧贴所述衬底的上表面向内构建有漏极和源极，所述漏极沿上表面方向包覆源极，且源极和漏极之间互不接触；和/或源极沿上表面方向包覆漏极，且源极和漏极之间互不接触；所述外延层在源极和漏极之间的部分设置为栅极，所述栅极的截面呈U型；外延层，位于所述衬底上方。本发明的ISFET器件具有U型栅结构，增大了栅极与待测溶液的接触面积，使ISFET器件对溶液反应更灵敏。同时，本发明还提供了一种离子敏感场效应晶体管的制备方法，其工艺流程简单，并且与标准CMOS工艺兼容。

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