应用于激光切割的同轴CCD成像系统

发明专利无效专利

申请号：
CN201210032496.1
IPC分类号：B23K26/03;B23K26/38
申请日期：
2012-02-14
申请人：
中国科学院福建物质结构研究所

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著录项信息

专利名称	应用于激光切割的同轴CCD成像系统
申请号	CN201210032496.1	申请日期	2012-02-14
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-07-11	公开/公告号	CN102554463A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B23K26/03 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B23 机床；其他类目中不包括的金属加工 B23K 钎焊或脱焊；焊接；用钎焊或焊接方法包覆或镀敷；局部加热切割，如火焰切割；用激光束加工（用金属的挤压来制造金属包覆产品入B21C 23/22；用铸造方法制造衬套或包覆层入B22D 19/08；用浸入方式的铸造入B22D 23/04；用烧结金属粉末制造复合层入B22F 7/00；机床上的仿形加工或控制装置入B23Q；不包含在其他类目中的包覆金属或金属包覆材料入C23C；燃烧器入F23D） B23K26/00 用激光束加工，例如焊接，切割或打孔〔2，3，2014.01〕 B23K26/02 工件的定位和观测，如相对于冲击点，激光束的对正，瞄准或聚焦〔3，2014.01〕 B23K26/03 工件的观测，如监视〔7〕	IPC分类号	B;2;3;K;2;6;/;0;3;;;B;2;3;K;2;6;/;3;8查看分类表>
申请人	中国科学院福建物质结构研究所	申请人地址	福建省福州市杨桥西路155号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院福建物质结构研究所	当前权利人	中国科学院福建物质结构研究所
发明人	黄见洪;翁文;吴鸿春;刘华刚;葛燕;阮开明;邓晶;郑晖;李锦辉;史斐;戴殊韬;林文雄
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开一种应用于激光切割的同轴CCD成像系统，属光电子领域，可应用于激光切割，激光钻孔等激光加工方面。本发明包括低倍CCD成像组件，上高倍CCD成像组件和下高倍CCD成像组件等三个成像组件，三个成像组件在同一个光轴上对工件进行成像；激光从水平方向入射，经过聚焦镜组汇聚和45度激光全反镜反射聚焦于工件上进行加工；三个CCD成像组件通过激光加工光轴同轴成像。本发明中三个CCD成像组件不需要特殊设计，都可以采用市面上成熟的镜组，不仅能满足LED晶圆激光切割高精度的成像要求，同时大大降低了设备成本，对于提高设备厂家的经济效益具有重要的意义。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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