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铜包裹纳米碳化硅颗粒制备纳米复合粉体颗粒的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN03116189.8
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    2003-04-04
  • 申请人:
    中国科学院上海硅酸盐研究所
著录项信息
专利名称铜包裹纳米碳化硅颗粒制备纳米复合粉体颗粒的方法
申请号CN03116189.8申请日期2003-04-04
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2003-09-17公开/公告号CN1442391
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人中国科学院上海硅酸盐研究所申请人地址
上海市定西路1295号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院上海硅酸盐研究所当前权利人中国科学院上海硅酸盐研究所
发明人高濂;张锐;郭景坤
代理机构上海智信专利代理有限公司代理人潘振甦
摘要
本发明提供了一种铜包裹纳米碳化硅颗粒制备复合粉体的方法。主要特征是利用氧化亚铜歧化反应和置换反应原理直接通过水溶液反应获得纳米尺寸的铜微晶,采用非均相沉淀方法,结合磁力搅拌、机械搅拌和真空旋转蒸发等过程,将铜均匀、致密地包裹到碳化硅颗粒表面,从而获得分散性能、包裹质量优良的复合粉体。通过控制包裹过程中各反应介质的pH值、搅拌强度、反应温度、真空旋转蒸发速度等性能参数,使非均相沉淀的颗粒和包裹后的复合颗粒都保持在纳米尺寸范围。纳米铜微晶的晶粒尺寸为32.1-87.5纳米。其自发氧化使包裹颗粒的外表面形成一层氧化亚铜。氧化亚铜的存在可以促进颗粒在高温下的烧结。

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